Name: SQM110N05-06L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM110N05-06L_GE3TR-ND
Price: 5.57 CAD
Availability: InStock

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SQM110N05-06L_GE3
cms-digikey-product-number	SQM110N05-06L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQM110N05-06L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQM110N05-06L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQM110N05-06L_GE3
cms-description	MOSFET N-CH 55V 110A TO263
cms-standard-lead-time	25 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 55 V 110 A (Tc) 157W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4440 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	157W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SQM110