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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIR804DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIR804DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR804DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR804DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIR804DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 60 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIR804DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 76 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2450 pF @ 50 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,2mohms à 20A, 10V |
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Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 4 820
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,84000 $ | 5,84 $ |
| 10 | 3,81600 $ | 38,16 $ |
| 100 | 2,66330 $ | 266,33 $ |
| 500 | 2,17070 $ | 1 085,35 $ |
| 1 000 | 2,16781 $ | 2 167,81 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,81179 $ | 5 435,37 $ |
| 6 000 | 1,77109 $ | 10 626,54 $ |
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