
SIR424DP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIR424DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR424DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR424DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIR424DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 30 A (Tc) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIR424DP-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 5,5mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1250 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,16000 $ | 2,16 $ |
| 10 | 1,36700 $ | 13,67 $ |
| 100 | 0,90780 $ | 90,78 $ |
| 500 | 0,71092 $ | 355,46 $ |
| 1 000 | 0,64752 $ | 647,52 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,56699 $ | 1 700,97 $ |
| 6 000 | 0,52646 $ | 3 158,76 $ |
| 9 000 | 0,50582 $ | 4 552,38 $ |
| 15 000 | 0,50303 $ | 7 545,45 $ |









