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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHW70N60EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHW70N60EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHW70N60EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 70 A (Tc) 520W (Tc) Trou traversant TO-247AD |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHW70N60EF-GE3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 380 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7500 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 520W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AD |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 38mohms à 35A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (13)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 270 | 742-SIHG70N60EF-GE3-ND | 23,35000 $ | Équivalent paramétrique |
| FCH041N60E | onsemi | 731 | FCH041N60E-ND | 22,30000 $ | Similaire |
| FCH041N65EF-F155 | onsemi | 358 | FCH041N65EF-F155OS-ND | 24,72000 $ | Similaire |
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | 1 502 | 448-IPW60R040C7XKSA1-ND | 18,62000 $ | Similaire |
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 557 | 448-IPW60R045CPAFKSA1-ND | 27,72000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 480 | 12,89977 $ | 6 191,89 $ |
