Équivalent paramétrique
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IPW65R041CFDFKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPW65R041CFDFKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW65R041CFDFKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 68,5 A (Tc) 500W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 3,3mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8400 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 500W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 41mohms à 33,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 114 | IPW65R041CFDFKSA2-ND | 20,16000 $ | Équivalent paramétrique |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | 24,12000 $ | Similaire |
| SIHG70N60AEF-GE3 | Vishay Siliconix | 35 | 742-SIHG70N60AEF-GE3-ND | 21,01000 $ | Similaire |
| STW69N65M5 | STMicroelectronics | 461 | 497-12987-5-ND | 21,02000 $ | Similaire |
| STW72N60DM2AG | STMicroelectronics | 375 | 497-16130-5-ND | 14,11000 $ | Similaire |








