Name: SIHP33N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP33N60EF-GE3-ND
Price: 11.28 CAD
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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SIHP33N60EF-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIHP33N60EF-GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHP33N60EF-GE3
Description	MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	98mohms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3454 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	278W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	SIHP33

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	11,28000 $	11,28 $
50	6,09480 $	304,74 $
100	5,59450 $	559,45 $
500	4,75086 $	2 375,43 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.