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SIHP15N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP15N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP15N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 15 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHP15N65E-GE3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 34W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 280mohms à 8A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP13N60N | onsemi | 0 | FCP13N60NFS-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| FCP16N60 | onsemi | 1 722 | FCP16N60-ND | 7,79000 $ | Similaire |
| FCP260N65S3 | onsemi | 774 | FCP260N65S3-ND | 6,07000 $ | Similaire |
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R280C6XKSA1-ND | 2,39740 $ | Similaire |
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R225C7XKSA1-ND | 5,11000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 2,86978 $ | 2 869,78 $ |
