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SIHG24N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG24N65EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG24N65EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 122 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2774 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 156mohms à 12A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH170N60 | onsemi | 182 | FCH170N60-ND | 10,16000 $ | Similaire |
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | 270 | IPW60R165CPFKSA1-ND | 8,93000 $ | Similaire |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5 042 | 238-IXFH22N65X2-ND | 14,15000 $ | Similaire |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | 7,13367 $ | Similaire |
| IXKH24N60C5 | IXYS | 0 | IXKH24N60C5-ND | 5,46667 $ | Similaire |
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 11,35000 $ | 11,35 $ |
| 10 | 7,66200 $ | 76,62 $ |
| 100 | 5,56860 $ | 556,86 $ |
| 500 | 4,67702 $ | 2 338,51 $ |
| 1 000 | 4,39085 $ | 4 390,85 $ |
| 2 000 | 4,33147 $ | 8 662,94 $ |
