24 A (Tc) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
91 461
En stock
1 : 1,06000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,23163 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
24 A (Tc)
4,5V, 10V
16,5mohms à 12A, 10V
2,3V à 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4,1W (Ta), 24W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
103 642
En stock
1 : 1,62000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,37948 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
24 A (Tc)
4,5V, 10V
11mohms à 17A, 10V
2,3V à 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1995 pF @ 15 V
-
5W (Ta), 28W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-DFN-EP (3x3)
8-PowerVDFN
9 713
En stock
1 : 3,03000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,79926 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
24 A (Tc)
10V
13,6mohms à 12A, 10V
4V à 300µA
22 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 50 V
-
1,6W (Ta), 48W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOP Advance (5x5)
8-PowerVDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Infineon Technologies
171
En stock
1 : 3,58000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,15116 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
24 A (Tc)
10V
77,5mohms à 15A, 10V
5V à 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-220AB Full Pack
IRFI1310NPBF
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Infineon Technologies
4 966
En stock
1 : 3,67000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
24 A (Tc)
10V
36mohms à 13A, 10V
4V à 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
56W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
Boîtier complet TO-220AB
Boîtier complet TO-220-3
TO-252AA (DPAK)
IRFR4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Infineon Technologies
27 776
En stock
1 : 3,76000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,07314 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
24 A (Tc)
10V
78mohms à 15A, 10V
5V à 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Infineon Technologies
8 260
En stock
1 : 3,82000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 1,10034 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
24 A (Tc)
10V
50mohms à 22A, 10V
4V à 60µA
15 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 100 V
-
96W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263 (D2PAK)
STB33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
STMicroelectronics
1 621
En stock
1 : 7,53000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 2,76464 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
24 A (Tc)
10V
140mohms à 12A, 10V
4V à 250µA
41.5 nC @ 10 V
±25V
1790 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
SCT4026DW7TL
SCT4062KW7HRTL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
3 669
En stock
1 : 17,89000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 12,74347 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
24 A (Tc)
18V
81mohms à 12A, 18V
4,8V à 6,45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263-7L
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
AON6266E
MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2 220
En stock
1 : 1,42000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,34594 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
24 A (Tc)
4,5V, 10V
13,2mohms à 20A, 10V
2,2V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
755 pF @ 30 V
-
26W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-DFN (5x6)
8-PowerVDFN
SIS176LDN-T1-GE3
SI7619DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
98 734
En stock
1 : 1,80000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,39125 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
24 A (Tc)
4,5V, 10V
21mohms à 10,5A, 10V
3V à 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
3,5W (Ta), 27,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PG-TDSON-8-33
IAUC24N10S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Infineon Technologies
2 149
En stock
1 : 2,06000 $
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,50319 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
24 A (Tc)
4,5V, 10V
30mohms à 12A, 10V
2,2V à 12µA
11 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
38W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
SI9407BDY-T1-GE3
SI4156DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Vishay Siliconix
3 115
En stock
1 : 2,16000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,57887 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
24 A (Tc)
4,5V, 10V
6mohms à 15,7A, 10V
2,2V à 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta), 6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
DPAK
STD20NF06T4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
12 283
En stock
1 : 2,31000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,55203 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
24 A (Tc)
10V
40mohms à 12A, 10V
4V à 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 25 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
DPAK
STD16NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
15 687
En stock
1 : 2,47000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,67738 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
24 A (Tc)
5V, 10V
70mohms à 8A, 10V
1V à 250µA
7.5 nC @ 5 V
±18V
370 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
DPAK
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
5 565
En stock
1 : 2,64000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,73027 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
24 A (Tc)
5V, 10V
40mohms à 12A, 10V
2,5V à 250µA
13 nC @ 10 V
±18V
660 pF @ 25 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
Infineon Technologies
7 981
En stock
1 : 2,88000 $
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,80554 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
150 V
24 A (Tc)
10V
95mohms à 14A, 10V
5V à 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 25 V
-
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-220-3 Type A
STP33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
STMicroelectronics
2 202
En stock
1 : 7,38000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
24 A (Tc)
10V
130mohms à 12A, 10V
5V à 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1870 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
TO-3PN
FDA24N50F
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
onsemi
418
En stock
1 : 7,94000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
24 A (Tc)
10V
200mohms à 12A, 10V
5V à 250µA
85 nC @ 10 V
±30V
4310 pF @ 25 V
-
270W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-3PN
TO-3P-3, SC-65-3
IHW15N120R3FKSA1
IPW65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Infineon Technologies
473
En stock
1 : 8,72000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
24 A (Tc)
10V
95mohms à 11,8A, 10V
4V à 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
PG-TO247-3-1
TO-247-3
FCMT360N65S3
FCMT125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
onsemi
2 700
En stock
1 : 10,19000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 4,14834 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
24 A (Tc)
10V
125mohms à 12A, 10V
4,5V à 590µA
49 nC @ 10 V
±30V
1920 pF @ 400 V
-
181W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
4-PQFN (8x8)
4-PowerTSFN
TO-247_IXFH
IXFH24N80P
MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD
IXYS
608
En stock
1 : 19,50000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
800 V
24 A (Tc)
10V
400mohms à 12A, 10V
5V à 4mA
105 nC @ 10 V
±30V
7200 pF @ 25 V
-
650W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247AD (IXFH)
TO-247-3
TO-264
IXFK24N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA
IXYS
1 600
En stock
1 : 42,78000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
1000 V
24 A (Tc)
10V
440mohms à 12A, 10V
6,5V à 4mA
140 nC @ 10 V
±30V
7200 pF @ 25 V
-
1 000W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-264AA (IXFK)
TO-264-3, TO-264AA
IXYX110N120A4
IXTH24N50L
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
IXYS
390
En stock
1 : 55,98000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
24 A (Tc)
20V
300mohms à 500mA, 20V
5V à 250µA
160 nC @ 20 V
±30V
2500 pF @ 25 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
SIR401DP-T1-GE3
SIR172ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8 441
En stock
1 : 1,12000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,26097 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
24 A (Tc)
4,5V, 10V
8,5mohms à 10A, 10V
2,4V à 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1515 pF @ 15 V
-
29,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Affichage de
sur 291

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.