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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHG21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG21N65EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG21N65EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHG21N65EF-GE3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 106 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2322 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 128 | 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND | 6,68000 $ | Similaire |
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | 695 | IPW60R190P6FKSA1-ND | 6,41000 $ | Similaire |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5 042 | 238-IXFH22N65X2-ND | 14,15000 $ | Similaire |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | 7,13367 $ | Similaire |
| IXFH30N60X | IXYS | 0 | IXFH30N60X-ND | 6,53510 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 500 | 4,57742 $ | 2 288,71 $ |
