
SIHG100N60E-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIHG100N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG100N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1851 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 13A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | 16,65000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 11,33000 $ | 11,33 $ |
| 10 | 7,64600 $ | 76,46 $ |
| 100 | 5,55770 $ | 555,77 $ |
| 500 | 4,66752 $ | 2 333,76 $ |
| 1 000 | 4,38181 $ | 4 381,81 $ |
| 2 000 | 4,32138 $ | 8 642,76 $ |

