Name: SIHFBE30S-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFBE30S-GE3TR-ND
Price: 4.01 CAD
Availability: InStock

Canal N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)

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SIHFBE30S-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHFBE30S-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHFBE30S-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIHFBE30S-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHFBE30S-GE3
Description	MOSFET N-CHANNEL 800V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,1 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 3ohms à 2,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IRFBE30SPBF	Vishay Siliconix	960	IRFBE30SPBF-ND	6,88000 $	Équivalent paramétrique
IRFBE30STRLPBF	Vishay Siliconix	135	IRFBE30STRLPBFCT-ND	7,58000 $	Équivalent paramétrique
SIHFBE30STRL-GE3	Vishay Siliconix	800	742-SIHFBE30STRL-GE3CT-ND	3,96000 $	Équivalent paramétrique

En stock: 960

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Bande et bobine