


IRFBE30SPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRFBE30SPBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRFBE30SPBF |
Description | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRFBE30SPBF Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3ohms à 2,5A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB4N80TM | onsemi | 823 | FQB4N80TMCT-ND | 4,96000 $ | Similaire |
| STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics | 2 414 | 497-6557-1-ND | 6,50000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,88000 $ | 6,88 $ |
| 50 | 3,52060 $ | 176,03 $ |
| 100 | 3,19460 $ | 319,46 $ |
| 500 | 2,62350 $ | 1 311,75 $ |
| 1 000 | 2,44005 $ | 2 440,05 $ |
| 2 000 | 2,28588 $ | 4 571,76 $ |
| 5 000 | 2,21386 $ | 11 069,30 $ |

