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SIHF12N60E-GE3
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SIHF12N60E-E3

Numéro de produit DigiKey
SIHF12N60E-E3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHF12N60E-E3
Description
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
937 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
Boîtier complet TO-220
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHF12
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Quantité Prix unitaire Prix total
15,25000 $5,25 $
103,42200 $34,22 $
1002,38740 $238,74 $
5001,94526 $972,63 $
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Conditionnement standard du fabricant