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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FCPF9N60NT | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FCPF9N60NT-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FCPF9N60NT |
Description | MOSFET N-CH 600V 9A TO220F |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 9 A (Tc) 29,8W (Tc) Trou traversant TO-220F-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FCPF9N60NT Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1240 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 29,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-220F-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 385mohms à 4,5A, 10V |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NTPF360N65S3H | onsemi | 910 | 488-NTPF360N65S3H-ND | 6,68000 $ | Recommandation fabricant |
| TK10A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 112 | TK10A60WS4VX-ND | 5,10000 $ | Direct |
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | 400 | IPA60R360P7XKSA1-ND | 4,02000 $ | Similaire |
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | 273 | IPA60R380P6XKSA1-ND | 4,08000 $ | Similaire |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 343 | R6011ENX-ND | 6,64000 $ | Similaire |
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