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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB105N60EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHB105N60EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB105N60EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 29 A (Tc) 208W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1804 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 102mohms à 13A, 10V |
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Documents et supports
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En stock: 3 990
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,87000 $ | 7,87 $ |
| 50 | 4,07140 $ | 203,57 $ |
| 100 | 3,70390 $ | 370,39 $ |
| 500 | 3,06014 $ | 1 530,07 $ |
| 1 000 | 2,85344 $ | 2 853,44 $ |
| 2 000 | 2,67974 $ | 5 359,48 $ |
| 5 000 | 2,65086 $ | 13 254,30 $ |
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