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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB100N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB100N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB100N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1851 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 13A, 10V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 9,70000 $ | 9,70 $ |
| 50 | 5,11240 $ | 255,62 $ |
| 100 | 4,66970 $ | 466,97 $ |
| 500 | 3,89452 $ | 1 947,26 $ |
| 1 000 | 3,64570 $ | 3 645,70 $ |
| 2 000 | 3,50753 $ | 7 015,06 $ |
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