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SI2312BDS-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI2312BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI2312BDS-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI2312BDS-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2312BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI2312BDS-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 3,9 A (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI2312BDS-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 31mohms à 5A, 4,5V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 850mV à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 4.5 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Vgs (max.) ±8V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 750mW (Ta) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AO3420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 670 569 | 785-1014-1-ND | 0,99000 $ | Similaire |
| FDN339AN | onsemi | 29 890 | FDN339ANCT-ND | 1,16000 $ | Similaire |
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | 5 333 | RUR040N02TLCT-ND | 1,74000 $ | Similaire |
| XP2344GN | YAGEO XSEMI | 670 | 5048-XP2344GNCT-ND | 0,68000 $ | Similaire |
Obsolète
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