TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
166 095
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03767 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
226 776
En stock
1 : 0,22000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04052 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
128 763
En stock
1 : 0,23000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04465 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
112 251
En stock
1 : 0,28000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05446 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohms à 300mA, 10V
1,5V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
46 212
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05026 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
18 639
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05246 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
3 945
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05081 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
328 711
En stock
1 : 0,29000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05652 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002A-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
114 860
En stock
1 : 0,29000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05560 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6ohms à 115mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
346 775
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06024 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 240mA, 10V
2,5V à 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
328 849
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06208 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
65 417
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05895 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8ohms à 250mA, 10V
1,5V à 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
508 026
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06675 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
242 125
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06425 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohms à 170mA, 10V
2V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTD143ECHZGT116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
92 182
En stock
1 : 0,36000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06775 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
739 512
En stock
1 : 0,38000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07786 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
220mA (Ta)
2,7V, 4,5V
4ohms à 400mA, 4,5V
1,06V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
onsemi
113 183
En stock
1 : 0,38000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07662 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
64 915
En stock
1 : 0,40000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08051 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
120mohms à 2,8A, 4,5V
1,2V à 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
46 451
En stock
1 : 0,38000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07537 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138Q-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
94 315
En stock
1 : 0,39000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07911 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
55 219
En stock
1 : 0,42000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08684 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5,6 A (Ta)
4,5V, 10V
30mohms à 5,6A, 10V
2,1V à 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
343 pF @ 15 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBD1401ALT1G
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
779 931
En stock
1 : 0,40000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08302 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
1,6V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
443 254
En stock
1 : 0,40000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08327 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohms à 100mA, 10V
2,6V à 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
116 301
En stock
1 : 0,40000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08428 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
8ohms à 170mA, 10V
2V à 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
75 971
En stock
1 : 0,40000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,07029 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
5V
3,5ohms à 200mA, 5V
1,5V à 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 2 236

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.