IRFZ48PBF est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

IRFZ48RPBF
Vishay Siliconix
En stock: 888
Prix unitaire : 5,62000 $
Fiche technique

Direct

IRFZ44ZPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,67255 $
Fiche technique

Similaire

AOT2618L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 2,47000 $
Fiche technique

Similaire

FDP65N06
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

FQP50N06
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

FQP50N06L
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

FQP65N06
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 1,58232 $
Fiche technique

Similaire

IRFB3806PBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

IRFZ44VPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,85884 $
Fiche technique

Similaire

IRFZ48NPBF
Infineon Technologies
En stock: 1 155
Prix unitaire : 2,56000 $
Fiche technique

Similaire

NDP6060L
onsemi
En stock: 1 259
Prix unitaire : 6,05000 $
Fiche technique

Similaire

PSMN7R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.
En stock: 550
Prix unitaire : 5,20000 $
Fiche technique

Similaire

RFP50N06
onsemi
En stock: 1 803
Prix unitaire : 4,55000 $
Fiche technique

Similaire

STP55NF06
STMicroelectronics
En stock: 29 525
Prix unitaire : 2,74000 $
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
SIHP23N60E-GE3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFZ48PBF

Numéro de produit DigiKey
IRFZ48PBF-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRFZ48PBF
Description
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 50 A (Tc) 190W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFZ48PBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
18mohms à 43A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2400 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRFZ48
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

0 en stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,62000 $5,62 $
502,84420 $142,21 $
1002,57570 $257,57 $
5002,10522 $1 052,61 $
1 0001,95411 $1 954,11 $
2 0001,86122 $3 722,44 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.