Name: IRFSL11N50APBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFSL11N50APBF-ND
Price: 6.81 CAD
Availability: OutOfStock

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Canal N 500 V 11 A (Tc) 190W (Tc) Trou traversant TO-262-3

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IRFSL11N50APBF
Numéro de produit DigiKey	IRFSL11N50APBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFSL11N50APBF
Description	MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 11 A (Tc) 190W (Tc) Trou traversant TO-262-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	550mohms à 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1426 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	190W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-262-3
Boîtier	TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base	IRFSL11

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,81000 $	6,81 $
10	4,50600 $	45,06 $
100	3,19320 $	319,32 $
500	2,63300 $	1 316,50 $
1 000	2,45313 $	2 453,13 $
2 000	2,42015 $	4 840,30 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.