Name: FQB4N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQB4N80TMTR-ND
Price: 4.96 CAD
Availability: InStock

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FQB4N80TM
Numéro de produit DigiKey	FQB4N80TMTR-ND - Bande et bobine FQB4N80TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQB4N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB4N80TM
Description	MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 3,9 A (Tc) 3,13W (Ta), 130W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 880 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,13W (Ta), 130W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,9 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQB4N80
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,6ohms à 1,95A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 823

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
800	1,59318 $	1 274,54 $
1 600	1,47974 $	2 367,58 $

Conditionnement standard du fabricant

FQB4N80TM