IRFB9N65APBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


IXYS
En stock: 240
Prix unitaire : 11,52000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 2,44903 $
Fiche technique
Canal N 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Trou traversant TO-220AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFB9N65APBF

Numéro de produit DigiKey
IRFB9N65APBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFB9N65APBF
Description
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFB9N65APBF Modèles
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1417 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
167W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
930mohms à 5,1A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IXFP10N80PIXYS240IXFP10N80P-ND11,52000 $Similaire
STP9NK65ZSTMicroelectronics0STP9NK65Z-ND2,44903 $Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.