Canal N 500 V 11 A (Tc) 170W (Tc) Trou traversant TO-220AB
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IRFB11N50APBF

Numéro de produit DigiKey
IRFB11N50APBF-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRFB11N50APBF
Description
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 11 A (Tc) 170W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFB11N50APBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
520mohms à 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1423 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
170W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRFB11
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 382
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,53000 $5,53 $
502,79400 $139,70 $
1002,52950 $252,95 $
5002,06588 $1 032,94 $
1 0001,91695 $1 916,95 $
2 0001,82023 $3 640,46 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.