Name: TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R70AR5LQTR-ND
Price: 2.31 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TPH2R70AR5,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPH2R70AR5LQTR-ND - Bande et bobine 264-TPH2R70AR5LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPH2R70AR5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH2R70AR5,LQ
Description	N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 22A (Ta), 190A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22A (Ta), 190A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,7mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5400 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 210W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP Advance (5x5,75)
Boîtier	8-PowerTDFN

Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 8 975

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®