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Fiche technique
Canal N 650 V 5 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220
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STP9N65M2

Numéro de produit DigiKey
497-15042-5-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
STP9N65M2
Description
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
18 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 5 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STP9N65M2 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±25V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
315 pF @ 100 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
TO-220
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
900mohms à 2,5A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (6)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
AOT10N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT10N65-ND1,30555 $Similaire
AOT4S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1268-5-ND0,00000 $Similaire
AOT8N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT8N65-ND0,00000 $Similaire
AOT9N70Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT9N70-ND1,14862 $Similaire
IPP80R900P7XKSA1Infineon Technologies0IPP80R900P7XKSA1-ND0,00000 $Similaire
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0001,19867 $1 198,67 $
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.