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AOT8N65 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
AOT8N65 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | AOT8N65-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOT8N65 |
Description | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 8 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,15ohms à 4A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP10N80P | IXYS | 240 | IXFP10N80P-ND | 11,52000 $ | Similaire |
| STP9NK65Z | STMicroelectronics | 0 | STP9NK65Z-ND | 2,44903 $ | Similaire |
| TK7E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 70 | TK7E80WS1X-ND | 7,42000 $ | Similaire |
Obsolète
