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TO-220-3
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STP16N65M2

Numéro de produit DigiKey
497-15275-5-ND
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STP16N65M2
Description
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
14 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 11 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STP16N65M2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
MDmesh™ M2
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
360mohms à 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
718 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP16
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
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