Name: STB35N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10565-2-ND
Price: 11.77 CAD
Availability: OutOfStock

STB35N65M5
cms-digikey-product-number	497-10565-2-ND - Bande et bobine 497-10565-1-ND - Bande coupée (CT) 497-10565-6-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	STMicroelectronics
cms-manufacturer-product-number	STB35N65M5
cms-description	MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
cms-standard-lead-time	16 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 650 V 27 A (Tc) 160W (Tc) Montage en surface D2PAK
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	STB35N65M5 Modèles

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™ V
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	27 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	98mohms à 13,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3750 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	160W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	STB35

STB35N65M5