IPB65R095C7ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

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IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

En stock: 2 138

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Canal N 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3

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IPB65R095C7ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB65R095C7ATMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB65R095C7ATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 590µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2140 pF @ 400 V
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Dissipation de puissance (max.) 128W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPB65R
Rds On (max.) à Id, Vgs 95mohms à 11,8A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	1 216	IPB60R080P7ATMA1CT-ND	9,67000 $	Direct
IPB65R095C7ATMA2	Infineon Technologies	2 138	IPB65R095C7ATMA2CT-ND	11,90000 $	Direct

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