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Canal N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R099C6ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB65R099C6ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPB65R099C6ATMA1
Description
MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
38 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
99mohms à 12,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 1,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
127 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2780 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
278W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB65R099
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