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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB65R099C6ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB65R099C6ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB65R099C6ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 127 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2780 pF @ 100 V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 12,8A, 10V |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60ET5-GE3-ND | 4,23521 $ | Similaire |
| STB30N65M5 | STMicroelectronics | 1 041 | 497-10563-1-ND | 11,49000 $ | Similaire |
| STB34N65M5 | STMicroelectronics | 350 | 497-13085-1-ND | 10,87000 $ | Similaire |
| STB35N65M5 | STMicroelectronics | 0 | 497-10565-1-ND | 12,49000 $ | Similaire |
| STB38N65M5 | STMicroelectronics | 769 | 497-13086-1-ND | 11,47000 $ | Similaire |
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