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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
R6014YNX3C16
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

Numéro de produit DigiKey
SCT2120AFC-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT2120AFC
Description
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 29 A (Tc) 165W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
156mohms à 10A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 3,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1200 pF @ 500 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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