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Canal N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface LPTS
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Canal N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface LPTS
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6009ENJTL

Numéro de produit DigiKey
R6009ENJTLTR-ND - Bande et bobine
R6009ENJTLCT-ND - Bande coupée (CT)
R6009ENJTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
R6009ENJTL
Description
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface LPTS
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
R6009ENJTL Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
535mohms à 2,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
430 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
LPTS
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
R6009
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0001,87969 $1 879,69 $
2 0001,77925 $3 558,50 $
Conditionnement standard du fabricant