Canal N 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface TO-263
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IXTA8N65X2

Numéro de produit DigiKey
IXTA8N65X2-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXTA8N65X2
Description
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
41 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
Ultra X2
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
500mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
800 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXTA8
Questions et réponses sur les produits

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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
16,39000 $6,39 $
503,27540 $163,77 $
1002,97380 $297,38 $
5002,44500 $1 222,50 $
1 0002,27517 $2 275,17 $
2 0002,21912 $4 438,24 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.