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Canal N 650 V 8 A (Tc) 150W (Ta) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 650 V 8 A (Tc) 150W (Ta) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
TO-263-D2PAK

IXFA8N65X2

Numéro de produit DigiKey
238-IXFA8N65X2-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXFA8N65X2
Description
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
32 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 8 A (Tc) 150W (Ta) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
790 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
150W (Ta)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
450mohms à 4A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
R6009ENJTLRohm Semiconductor0R6009ENJTLCT-ND1,94225 $Similaire
R6009KNJTLRohm Semiconductor0R6009KNJTLCT-ND1,36616 $Similaire
R6012FNJTLRohm Semiconductor0846-R6012FNJTLTR-ND2,46990 $Similaire
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
3003,57350 $1 072,05 $
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.