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Canal N 80 V 75 A (Tc) 270W (Tc) Trou traversant TO-220-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

HUF75545P3

Numéro de produit DigiKey
HUF75545P3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
HUF75545P3
Description
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
30 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 80 V 75 A (Tc) 270W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
HUF75545P3 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
235 nC @ 20 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3750 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
80 V
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
10mohms à 75A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (13)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
2SK3228-ERenesas Electronics Corporation0559-2SK3228-E-ND0,00000 $Similaire
CSD19503KCSTexas Instruments930296-37481-5-ND4,54000 $Similaire
IPP100N08N3GXKSA1Infineon Technologies0448-IPP100N08N3GXKSA1-ND0,00000 $Similaire
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En stock: 0
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,76000 $5,76 $
502,91700 $145,85 $
1002,64120 $264,12 $
5002,15810 $1 079,05 $
1 0002,00293 $2 002,93 $
2 0001,90527 $3 810,54 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.