Canal N 600 V 10,2 A (Tc) 106W (Tc) Trou traversant TO-220-3
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FCP380N60

Numéro de produit DigiKey
FCP380N60-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FCP380N60
Description
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 10,2 A (Tc) 106W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FCP380N60 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1665 pF @ 25 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
106W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 5A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (12)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
FCP360N65S3R0onsemi293FCP360N65S3R0-ND5,31000 $Recommandation fabricant
IPP60R299CPXKSA1Infineon Technologies990448-IPP60R299CPXKSA1-ND4,94000 $Direct
AOT11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.995785-1250-5-ND5,54000 $Similaire
IXFP22N60P3IXYS219IXFP22N60P3-ND10,49000 $Similaire
SIHP12N60E-E3Vishay Siliconix0SIHP12N60E-E3-ND5,61000 $Similaire
Obsolète
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