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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FCH085N80-F155 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FCH085N80-F155-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FCH085N80-F155 |
Description | MOSFET N-CH 800V 46A TO247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 46 A (Tc) 446W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FCH085N80-F155 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 4,6mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 255 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10825 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 446W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 85mohms à 23A, 10V |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | 1 632 | 448-IPW60R070C6FKSA1-ND | 14,77000 $ | Similaire |
| SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor | 862 | SCT3060ALGC11-ND | 25,29000 $ | Similaire |
| SIHG33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 463 | 742-SIHG33N60EF-GE3-ND | 13,03000 $ | Similaire |
| SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG40N60E-GE3-ND | 13,23000 $ | Similaire |
| SIHW47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW47N65E-GE3-ND | 6,22769 $ | Similaire |
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Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 28,01000 $ | 28,01 $ |
| 30 | 17,50600 $ | 525,18 $ |
| 120 | 16,02733 $ | 1 923,28 $ |
