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SIHW47N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHW47N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHW47N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Trou traversant TO-247AD |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 273 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5682 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 417W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AD |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 72mohms à 24A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH072N60F | onsemi | 41 649 | FCH072N60F-ND | 16,03000 $ | Similaire |
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | 10 080 | 448-IPW60R080P7XKSA1-ND | 10,15000 $ | Similaire |
| IXFR80N60P3 | IXYS | 0 | IXFR80N60P3-ND | 28,05290 $ | Similaire |
| STW43N60DM2 | STMicroelectronics | 600 | 497-16343-5-ND | 12,34000 $ | Similaire |
| STW50N65DM2AG | STMicroelectronics | 430 | 497-16138-5-ND | 12,09000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 480 | 6,22769 $ | 2 989,29 $ |
