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SIHG40N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG40N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG40N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 40 A (Tc) 329W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 197 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4436 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 329W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 75mohms à 20A, 10V |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 0 | FCH077N65F-F155-ND | 16,99000 $ | Similaire |
| IXFX64N60P | IXYS | 759 | IXFX64N60P-ND | 42,98000 $ | Similaire |
| TK31N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK31N60WS1VF-ND | 19,62000 $ | Similaire |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 23,92000 $ | Similaire |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 18,88000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 13,23000 $ | 13,23 $ |
| 25 | 7,87640 $ | 196,91 $ |
| 100 | 6,60140 $ | 660,14 $ |
| 500 | 5,58168 $ | 2 790,84 $ |
| 1 000 | 5,30364 $ | 5 303,64 $ |
