2N7000RLRPG est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire

2N7000
onsemi
En stock: 41 779
Prix unitaire : 0,90000 $
Fiche technique

Similaire

2N7000-D26Z
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 0,80000 $
Fiche technique

Similaire

2N7000-D74Z
onsemi
En stock: 15 291
Prix unitaire : 0,84000 $
Fiche technique

Similaire

2N7000-D75Z
onsemi
En stock: 8 375
Prix unitaire : 0,77000 $
Fiche technique

Similaire

2N7000BU
onsemi
En stock: 18 243
Prix unitaire : 0,73000 $
Fiche technique

Similaire

2N7000TA
onsemi
En stock: 81 239
Prix unitaire : 0,73000 $
Fiche technique

Similaire

VN10LP
Diodes Incorporated
En stock: 3 954
Prix unitaire : 1,78000 $
Fiche technique

Similaire

VN10LPSTZ
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,47770 $
Fiche technique

Similaire

ZVN3306A
Diodes Incorporated
En stock: 4 301
Prix unitaire : 1,69000 $
Fiche technique

Similaire

ZVN3306ASTZ
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,44697 $
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
Canal N 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Trou traversant TO-92 (TO-226)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Trou traversant TO-92 (TO-226)
TO-92

2N7000RLRPG

Numéro de produit DigiKey
2N7000RLRPG-ND - Bande et boîte
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
2N7000RLRPG
Description
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Trou traversant TO-92 (TO-226)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
2N7000RLRPG Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et boîte
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
60 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-92 (TO-226)
Boîtier
TO-226-3, TO-92-3 boîtier long, broches formées
Numéro de produit de base
2N7000
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.
Non annulable/Non remboursable