200mA (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	171 729 En stock	1 : 0,20000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03774 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	885 519 En stock	1 : 0,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05805 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohms à 100mA, 2,5V	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	279 089 En stock	1 : 0,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05559 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	117 425 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06375 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	UMT3F	SC-85
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	168 784 En stock	1 : 0,36000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07091 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	139 388 En stock	1 : 0,36000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06774 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SN7002NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies	29 711 En stock	1 : 0,38000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07613 $ Bande et bobine	SIPMOS®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	5ohms à 500mA, 10V	1,8V à 26µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7000 MOSFET TO-92 60V 0.2A Diotec Semiconductor	44 821 En stock	1 : 0,39000 $ Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07830 $ Bande et boîte	-	Bande coupée (CT) Bande et boîte	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	5ohms à 500mA, 10V	3V à 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
BSS138LT3G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	115 707 En stock	1 : 0,40000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,07028 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	5V	3,5ohms à 200mA, 5V	1,5V à 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	352 028 En stock	1 : 0,42000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08835 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	5V	3,5ohms à 200mA, 5V	1,5V à 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	146 674 En stock	1 : 0,46000 $ Bande coupée (CT) 8 000 : 0,08482 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohms à 200mA, 2,5V	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	VMT3	SOT-723
BVSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	27 081 En stock	1 : 0,48000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09968 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	5V	3,5ohms à 200mA, 5V	1,5V à 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUM002N05T2L MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	606 504 En stock	1 : 0,51000 $ Bande coupée (CT) 8 000 : 0,07926 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	VMT3	SOT-723
RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	547 627 En stock	1 : 0,58000 $ Bande coupée (CT) 8 000 : 0,10920 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	VMT3	SOT-723
2N7000 MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C onsemi	68 347 En stock	1 : 0,90000 $ En vrac	-	En vrac	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	5ohms à 500mA, 10V	3V à 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
ZVN4106FTA MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	5 585 En stock 579 000 Usine	1 : 1,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,30052 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	5V, 10V	2,5ohms à 500mA, 10V	3V à 1mA	-	±20V	35 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3545N8-G MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Microchip Technology	10 246 En stock	1 : 1,52000 $ Bande coupée (CT) 2 000 : 1,08462 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N, mode de déplétion	MOSFET (oxyde métallique)	450 V	200mA (Ta)	0V	20ohms à 150mA, 0V	-	-	±20V	360 pF @ 25 V	-	1,6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-243AA (SOT-89)	TO-243AA
TN2404K-T1-E3 MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 Vishay Siliconix	45 063 En stock	1 : 1,88000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,47972 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	240 V	200mA (Ta)	2,5V, 10V	4ohms à 300mA, 10V	2V à 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	-	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	86 319 En stock	1 : 0,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05673 $ Bande et bobine	U-MOSIII	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,5V, 4,5V	2,2ohms à 100mA, 4,5V	1V à 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Montage en surface	SSM	SC-75, SOT-416
NX3008PBKW,115 MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323 Nexperia USA Inc.	1 698 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06165 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	200mA (Ta)	2,5V, 4,5V	4,1ohms à 200m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0.72 nC @ 4.5 V	±8V	46 pF @ 15 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
RUC002N05HZGT116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	1 456 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06113 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	-	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1C002ZPTCL MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	115 485 En stock	1 : 0,33000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06891 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	UMT3F	SC-85
SN7002NH6433XTMA1 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies	9 367 En stock	1 : 0,35000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,05650 $ Bande et bobine	SIPMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Date de dernière disponibilité	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	5ohms à 500mA, 10V	1,8V à 26µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
XP231N0201TR-G MOSFET N-CH 30V 200MA Torex Semiconductor Ltd	9 956 En stock	1 : 0,38000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07649 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	200mA (Ta)	2,5V, 4,5V	5ohms à 10mA, 4,5V	1,8V à 250µA	0.18 nC @ 10 V	±20V	6.5 pF @ 10 V	-	400mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJE8439_R1_00001 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	1 198 En stock	1 : 0,38000 $ Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07402 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	2,5V, 10V	4ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	1.1 nC @ 4.5 V	±20V	51 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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