200mA (Ta) FET, MOSFET simples

Résultats : 144
Options de stockage
Options environnementales
Supports
Exclure
144Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer
Affichage de
sur 144
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
236 924
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03238 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
284 012
En stock
1 : 0,24000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04471 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
512 187
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03700 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohms à 100mA, 2,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
287 515
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06013 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
DTA124EUBHZGTL
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
195 725
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05396 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
800mV à 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
76 042
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,06013 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
5V
3,5ohms à 200mA, 5V
1,5V à 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTD143ECHZGT116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
405 162
En stock
1 : 0,38000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04934 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
41 010
En stock
1 : 0,44000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07246 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
5V
3,5ohms à 200mA, 5V
1,5V à 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTA023YMT2L
RZM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
50 717
En stock
1 : 0,45000 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,07142 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
1,2ohms à 200mA, 4,5V
1V à 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VMT3
SOT-723
DTA023YMT2L
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
495 051
En stock
1 : 0,48000 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,06321 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohms à 200mA, 2,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VMT3
SOT-723
DTA023YMT2L
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
699 445
En stock
1 : 0,53000 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,08284 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VMT3
SOT-723
DTA023YMT2L
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
861 580
En stock
1 : 0,60000 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,08634 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
800mV à 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VMT3
SOT-723
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
45 146
En stock
1 : 0,74000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
SI2333DS-T1-GE3
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
13 451
En stock
1 : 1,10000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,50202 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
240 V
200mA (Ta)
2,5V, 10V
4ohms à 300mA, 10V
2V à 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PBSS304NX-QX
BSS192,115
MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
Nexperia USA Inc.
6 245
En stock
1 : 1,22000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,29362 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
240 V
200mA (Ta)
10V
12ohms à 200mA, 10V
2,8V à 1mA
-
±20V
90 pF @ 25 V
-
560mW (Ta), 12,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-89
TO-243AA
SOT-23-3
ZVN4106FTA
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
9 949
En stock
279 000
Usine
1 : 1,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32293 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
5V, 10V
2,5ohms à 500mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
35 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
C04-029 MB
DN3545N8-G
MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Microchip Technology
19 891
En stock
1 : 1,50000 $
Bande coupée (CT)
2 000 : 1,13367 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N, mode de déplétion
MOSFET (oxyde métallique)
450 V
200mA (Ta)
0V
20ohms à 150mA, 0V
-
-
±20V
360 pF @ 25 V
-
1,6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-243AA (SOT-89)
TO-243AA
TL431BFDT-QR
BSS138AKAR
MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
7 771
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04625 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
10V
4,5ohms à 100mA, 10V
1,5V à 250mA
0.51 nC @ 4.5 V
±20V
47 pF @ 30 V
-
300mW (Ta), 1,06W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBD1401ALT1G
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
37 004
En stock
1 : 0,27000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05396 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
2,75V, 5V
3,5ohms à 200mA, 5V
1,5V à 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
72 474
En stock
1 : 0,29000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04780 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,5V, 4,5V
2,2ohms à 100mA, 4,5V
1V à 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
150°C (TA)
-
-
Montage en surface
SSM
SC-75, SOT-416
TL431BFDT-QR
NX3020NAK,215
MOSFET N-CH 30V 200MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
90 360
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03854 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
200mA (Ta)
2,5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
1,5V à 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
13 pF @ 10 V
-
300mW (Ta), 1,06W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC556B
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
94 908
En stock
Actif
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
DTD143ECHZGT116
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
86 943
En stock
1 : 0,32000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06167 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
-
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
SN7002NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Infineon Technologies
5 042
En stock
1 : 0,32000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,05088 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
1,8V à 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS139IXTSA1
SN7002IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Infineon Technologies
8 986
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06630 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
1,8V à 26µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 144

200mA (Ta) FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.