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Canal N 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Trou traversant E-Line (compatible TO-92)
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VN10LPSTZ

Numéro de produit DigiKey
VN10LPSTZ-ND - Bande et boîte
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
VN10LPSTZ
Description
MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Trou traversant E-Line (compatible TO-92)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et boîte
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
270mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
60 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
625mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
E-Line (compatible TO-92)
Boîtier
E-Line-3, sorties formées
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Disponible sur commande
Stock usine : 24 000
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Non annulable/Non remboursable
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0000,47770 $955,40 $
4 0000,44038 $1 761,52 $
6 0000,42137 $2 528,22 $
10 0000,40383 $4 038,30 $
Conditionnement standard du fabricant