PMV55ENEAR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

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Canal N 60 V 3,1 A (Ta) 478mW (Ta), 8,36W (Tc) Montage en surface TO-236AB

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PMV55ENEAR
Numéro de produit DigiKey	1727-PMV55ENEARTR-ND - Bande et bobine 1727-PMV55ENEARCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PMV55ENEARDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PMV55ENEAR
Description	MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 3,1 A (Ta) 478mW (Ta), 8,36W (Tc) Montage en surface TO-236AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	PMV55ENEAR Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC @ 10 V
Fabricant Nexperia USA Inc.	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 646 pF @ 30 V
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Dissipation de puissance (max.) 478mW (Ta), 8,36W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,1 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur TO-236AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 3,1 A, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (max.) à Id 2,7V à 250µA	Numéro de produit de base PMV55

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
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