Nexperia USA Inc. FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	228 454 En stock	1 : 0,25000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04781 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138BKW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	85 703 En stock	1 : 0,46000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09597 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6ohms à 320m A, 10V	1,6V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	56 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
PMF63UNEX MOSFET N-CH 20V 2.2A SOT323 Nexperia USA Inc.	202 654 En stock	1 : 0,83000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,18329 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	2,2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	65mohms à 2A, 4,5V	1V à 250µA	5.85 nC @ 4.5 V	±8V	289 pF @ 10 V	-	395mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
PMV20ENR MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Nexperia USA Inc.	64 375 En stock	1 : 0,89000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,19691 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	6 A (Ta)	4,5V, 10V	21mohms à 6A, 10V	2V à 250µA	10.8 nC @ 10 V	±20V	435 pF @ 15 V	-	510mW (Ta), 6,94W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSH105,235 MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB Nexperia USA Inc.	1 831 En stock	1 : 0,92000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,16684 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	1,05 A (Ta)	1,8V, 4,5V	200mohms à 600mA, 4,5V	570mV à 1mA (typ.)	3.9 nC @ 4.5 V	±8V	152 pF @ 16 V	-	417mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV65XPEAR MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Nexperia USA Inc.	5 976 En stock	1 : 1,00000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,22502 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	2,8 A (Ta)	2,5V, 4,5V	78mohms à 2,8A, 4,5V	1,25V à 250µA	9 nC @ 4.5 V	±12V	618 pF @ 10 V	-	480mW (Ta), 6,25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMPB13XNE,115 MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	19 750 En stock	1 : 1,13000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,25770 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	16mohms à 8A, 4,5V	900mV à 250µA	36 nC @ 4.5 V	±12V	2195 pF @ 15 V	-	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	DFN2020MD-6	6-UDFN plot exposé
PMN30XPX MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP Nexperia USA Inc.	1 926 En stock	1 : 1,13000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,23787 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	5,2 A (Ta)	1,5V, 4,5V	34mohms à 5,2A, 4,5V	900mV à 250µA	23 nC @ 4.5 V	±12V	1575 pF @ 10 V	-	550mW (Ta), 6,25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSOP	SC-74, SOT-457
PMPB11EN,115 MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	2 113 En stock	1 : 1,31000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,29014 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	9 A (Ta)	4,5V, 10V	14,5mohms à 9A, 10V	2V à 250µA	20.6 nC @ 10 V	±20V	840 pF @ 10 V	-	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	DFN2020MD-6	6-UDFN plot exposé
BSS192,115 MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Nexperia USA Inc.	842 En stock	1 : 1,54000 $ Bande coupée (CT) 1 000 : 0,41867 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	240 V	200mA (Ta)	10V	12ohms à 200mA, 10V	2,8V à 1mA	-	±20V	90 pF @ 25 V	-	560mW (Ta), 12,5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-89	TO-243AA
PMV213SN,215 MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB Nexperia USA Inc.	1 277 En stock	1 : 1,61000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,27905 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	1,9 A (Tc)	10V	250mohms à 500mA, 10V	4V à 1mA	7 nC @ 10 V	±30V	330 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSP250,135 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Nexperia USA Inc.	5 920 En stock	1 : 1,89000 $ Bande coupée (CT) 4 000 : 0,44163 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3 A (Tc)	10V	250mohms à 1A, 10V	2,8V à 1mA	25 nC @ 10 V	±20V	250 pF @ 20 V	-	1,65W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BUK9M34-100EX MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	180 En stock	1 : 2,43000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 0,67901 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	29 A (Tc)	5V	34mohms à 5A, 10V	2,1V à 1mA	24.7 nC @ 5 V	±10V	2844 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-sorties)
PSMN040-100MSEX MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	27 770 En stock	1 : 2,56000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 0,72194 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	30 A (Tj)	10V	36,6mohms à 10A, 10V	4V à 1mA	30 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 50 V	-	91W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-sorties)
PSMN017-60YS,115 MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	6 641 En stock	1 : 2,62000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 0,61744 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	44 A (Tc)	10V	15,7mohms à 15A, 10V	4V à 1mA	20 nC @ 10 V	±20V	1172 pF @ 30 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
BUK6Y24-40PX MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	894 En stock	1 : 2,62000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 0,74183 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	39 A (Tc)	4,5V, 10V	24mohms à 8,2A, 10V	3V à 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	1250 pF @ 20 V	-	66W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN2R2-30YLC,115 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	13 753 En stock	1 : 2,74000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 0,78275 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	100 A (Tc)	4,5V, 10V	2,15mohms à 25A, 10V	1,95V à 1mA	55 nC @ 10 V	±20V	3310 pF @ 15 V	-	141W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN020-100YS,115 MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	113 826 En stock	1 : 3,12000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 0,90387 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	43 A (Tc)	10V	20,5mohms à 15A, 10V	4V à 1mA	41 nC @ 10 V	±20V	2210 pF @ 50 V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN102-200Y,115 MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	774 En stock	1 : 3,37000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 0,99179 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	21,5 A (Tc)	10V	102mohms à 12A, 10V	4V à 1mA	30.7 nC @ 10 V	±20V	1568 pF @ 30 V	-	113W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN1R2-30YLC,115 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	585 En stock	1 : 3,59000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 1,06885 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	100 A (Tc)	4,5V, 10V	1,25mohms à 25A, 10V	1,95V à 1mA	78 nC @ 10 V	±20V	5093 pF @ 15 V	-	215W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN015-60BS,118 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Nexperia USA Inc.	11 682 En stock	1 : 3,80000 $ Bande coupée (CT) 800 : 1,22815 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	50 A (Tc)	10V	14,8mohms à 15A, 10V	4V à 1mA	20.9 nC @ 10 V	±20V	1220 pF @ 30 V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
BUK9637-100E,118 MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK Nexperia USA Inc.	1 502 En stock	1 : 4,16000 $ Bande coupée (CT) 800 : 1,36128 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	31 A (Tc)	5V, 10V	36mohms à 10A, 10V	2,1V à 1mA	22.8 nC @ 5 V	±10V	2681 pF @ 25 V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PSMN7R6-60BS,118 MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK Nexperia USA Inc.	160 En stock	1 : 4,47000 $ Bande coupée (CT) 800 : 1,48091 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	92 A (Tc)	10V	7,8mohms à 25A, 10V	4V à 1mA	38.7 nC @ 10 V	±20V	2651 pF @ 30 V	-	149W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PSMN1R0-30YLDX MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	864 En stock	1 : 4,62000 $ Bande coupée (CT) 1 500 : 1,02440 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	100 A (Tc)	4,5V, 10V	1,02mohms à 25A, 10V	2,2V à 2mA	121.35 nC @ 10 V	±20V	8598 pF @ 15 V	-	238W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
PSMN8R7-80BS,118 MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK Nexperia USA Inc.	2 293 En stock	1 : 4,71000 $ Bande coupée (CT) 800 : 1,57649 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	80 V	90 A (Tc)	10V	8,7mohms à 10A, 10V	4V à 1mA	52 nC @ 10 V	±20V	3346 pF @ 40 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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