BUK768R1-100E,118 Nexperia USA Inc. | Produits semi-conducteurs discrets

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BUK768R1-100E,118
Numéro de produit DigiKey	1727-1062-2-ND - Bande et bobine 1727-1062-1-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	BUK768R1-100E,118
Description	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 100 A (Tc) 263W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BUK768R1-100E,118 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	TrenchMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,1mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7380 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	263W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	BUK768