Name: TN5325K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TN5325K1-GTR-ND
Price: 1.01 CAD
Availability: InStock

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TN5325K1-G
Numéro de produit DigiKey	TN5325K1-GTR-ND - Bande et bobine TN5325K1-GCT-ND - Bande coupée (CT) TN5325K1-GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	TN5325K1-G
Description	MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	6 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 150mA (Ta) 360mW (Ta) Montage en surface TO-236AB (SOT23)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TN5325K1-G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	150mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7ohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 1mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	110 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	360mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TA)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	TN5325