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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXTP75N10P | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTP75N10P-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTP75N10P |
Description | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 75 A (Tc) 360W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 74 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2250 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 360W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 25mohms à 500mA, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | 68 | DMNH10H028SCTDI-5-ND | 3,42000 $ | Similaire |
| HUF75645P3 | onsemi | 64 | HUF75645P3-ND | 5,85000 $ | Similaire |
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 319 | 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND | 4,53000 $ | Similaire |
| STP40NF10 | STMicroelectronics | 1 600 | 497-3188-5-ND | 3,34000 $ | Similaire |
| STP40NF10L | STMicroelectronics | 548 | 497-6741-5-ND | 4,16000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 10,61000 $ | 10,61 $ |
| 50 | 5,64100 $ | 282,05 $ |
| 100 | 5,16140 $ | 516,14 $ |
| 500 | 4,32202 $ | 2 161,01 $ |
| 1 000 | 4,05257 $ | 4 052,57 $ |
| 2 000 | 3,95550 $ | 7 911,00 $ |
