Name: IPP114N12N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND
Price: 4.53 CAD
Availability: InStock

Canal N 120 V 75 A (Tc) 136W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP114N12N3GXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP114N12N3GXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP114N12N3GXKSA1
Description	MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 75 A (Tc) 136W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP114N12N3GXKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 83µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4310 pF @ 60 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 136W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 120 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPP114
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,4mohms à 75A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,53000 $	4,53 $
50	2,23340 $	111,67 $
100	2,01070 $	201,07 $
500	1,61992 $	809,96 $
1 000	1,49432 $	1 494,32 $
2 000	1,38874 $	2 777,48 $
5 000	1,27454 $	6 372,70 $
10 000	1,25054 $	12 505,40 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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