IXTA110N055T2 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Similaire

BUK6607-55C,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 4,11000 $
Fiche technique

Similaire

BUK9606-75B,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 3 108
Prix unitaire : 8,29000 $
Fiche technique

Similaire

BUK9608-55B,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 581
Prix unitaire : 5,54000 $
Fiche technique

Similaire

FDB060AN08A0
onsemi
En stock: 2 617
Prix unitaire : 7,05000 $
Fiche technique

Similaire

IPB80N06S207ATMA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

IRF1407STRRPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

IRFS3307ZTRLPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 2,19053 $
Fiche technique

Similaire

IRFS3307ZTRRPBF
Infineon Technologies
En stock: 627
Prix unitaire : 5,63000 $
Fiche technique

Similaire

PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 160
Prix unitaire : 4,47000 $
Fiche technique

Similaire

SQM110N05-06L_GE3
Vishay Siliconix
En stock: 1 801
Prix unitaire : 5,57000 $
Fiche technique

Similaire

STB140NF55T4
STMicroelectronics
En stock: 1 625
Prix unitaire : 5,16000 $
Fiche technique

Similaire

STB80NF55L-06T4
STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 2,31459 $
Fiche technique

Similaire

STB85NF55T4
STMicroelectronics
En stock: 449
Prix unitaire : 4,77000 $
Fiche technique

Similaire

STH110N7F6-2
STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
TO-263AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXTA110N055T2

Numéro de produit DigiKey
IXTA110N055T2-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXTA110N055T2
Description
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) Montage en surface TO-263AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
TrenchT2™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,6mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3060 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
180W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263AA
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXTA110
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Disponible sur commande
Stock usine : 900
Vérifier le délai d'approvisionnement
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,92000 $5,92 $
503,00960 $150,48 $
1002,72830 $272,83 $
5002,23516 $1 117,58 $
1 0002,07682 $2 076,82 $
2 0001,99723 $3 994,46 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.